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口頭

ポリエーテルエーテルケトン電解質膜の合成とそのDMFC発電特性

Chen, J.; Li, D.*; 浅野 雅春; 前川 康成; 吉田 勝

no journal, , 

安価な市販高分子フィルムを用いて、放射線によりこれを改質(放射線架橋・グラフト)することで、簡便な電解質膜の合成プロセスを確立できた。具体的には、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)フィルムを、ジビニルベンゼン(DVB)溶液に浸漬し、熱グラフト重合することで、PEEK-g-DVBフィルムを作製した(第1グラフト重合工程)。次に、得られたPEEK-g-DVBフィルムに、放射線を照射して、照射したフィルムをエチルスルホン酸エチルエステル(ETSS)溶液に浸漬し、窒素雰囲気下でグラフト重合を行った(第2グラフト重合工程)。このグラフトフィルムを、熱水で加水分解することにより、最大2.77mmol/gのイオン交換容量を有する強靭な電解質膜を得た。また、メタノール透過性は、同一導電性を持つナフィオンと比べ、およそ1/10まで抑制できることが明らかになった。さらに、開発されたPEEK電解質膜の直接メタノール燃料電池(DMFC)としての発電性能は、ナフィオンと比べ同等又はその以上であることがわかった。

口頭

イオンビーム照射によるフッ素系高分子多孔膜の作製; 「イオン穿孔」のサイズ制御

八巻 徹也; 越川 博; 長谷川 伸; 浅野 雅春; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*; Neumann, R.*

no journal, , 

従来から検討がなされてきたPETなどの炭化水素系高分子ではなく、フッ素系高分子からなるイオン穿孔膜に着目し、そのエッチング挙動や応用性に関する研究を進めている。今回、イオン照射条件を変化させたりエッチング前処理を施したりすることによって、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)イオン穿孔膜の孔径制御を試みたので報告する。厚さ25$$mu$$mのPVDF膜に対し、2.3GeV $$^{208}$$Pb, 450MeV $$^{129}$$Xe, 520MeV $$^{84}$$Kr, 388MeV $$^{58}$$Niイオンを1cm$$^{2}$$あたり3$$times$$10$$^{6}$$$$sim$$3$$times$$10$$^{8}$$個のフルエンスで照射し、前処理として大気中、120$$^{circ}$$C下の加熱を施した後で、80$$^{circ}$$Cの9M KOH水溶液に浸漬することにより穿孔膜を得た。2.3GeV $$^{208}$$Pb, 450MeV $$^{129}$$Xeなどの高LETビームの照射と前処理を併用することで、未照射部に影響を与えずに高速エッチングが可能となり、潜在飛跡と未照射部におけるエッチング速度の比で表される穿孔形成の感度は最大で21000という極めて高い値に達した。

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